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未掺杂Ga0.5In0.5P/GaAs异质结构中原子有序诱导的高密度电子气体( High-density electron gas induced by atomic ordering in undoped Ga0.5In0.5P/GaAs heterostructure )
K Yamashita Y Matsuura T Kita O Wada III-V semiconductors Shubnikov-de Haas effect carrier density gallium arsenide gallium compounds indium compounds photoluminescence semiconductor heterojunctions two-dimensional electron gas 2DEG
通过磁光发光(PL)测量研究了长程有序GaInP/GaAs异质界面上积累电子的二维性质。无序GaInP/GaAs样品表现出典型的GaAs-PL光谱，这与用金属有机气相外延生长的块状GaAs是一致的。另一方面,序参量为0.30的有序样品的GaAs-PL谱显示了与埋在异质界面的三角势中的量子化电子态和费米边奇点发射有关的跃迁。观察到的有序样品的PL谱表明在GaInP/GaAs异质界面上诱导了二维电子气。在磁致发光测量中，确定了平行和垂直于异质界面的折合质量的各向异性。此外，在垂直磁场作用下，PL跃迁能中发现了清晰的光学Shubnikov-de Haas振荡。由观测到的Shubnikov-de Haas振荡周期推得2DEG的片载流子密度为1.20×10cm。
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