在001弛豫硅锗上应变Si/应变Si1x Ge x双通道pmosfet通道电荷的TCAD就绪密度梯度计算

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作者：scidown 发布时间：2021-06-08 21:50:15 文章标题：

在001弛豫硅锗上应变Si/应变Si1x Ge x双通道pmosfet通道电荷的TCAD就绪密度梯度计算( TCAD Ready Density Gradient Calculation of Channel Charge for Strained Si/Strained Si1x Ge x Dual Channel pMOSFETs on (001) Relaxed Si1y Ge y )

文章作者：

CD. NGUYEN A.T. PHAM C. JUNGEMANN B. MEINERZHAGEN heterostructures quantization effects inversion layer band offsets

文章简述：

本文研究了弛豫Si1 y Ge y上应变Si/应变Si1 x Ge x双沟道pMOSFET反型层中的电荷分布。首先，基于Schrdinger方程，用K-p方法(KPSE)描述了应变层中二维空穴气体（2 DHG）的价带结构，讨论了二维空穴气体（2 DHG）的尺寸量子化。其次，根据KPSE的计算结果，首次估计了商用TCAD器件模拟器建模所需的异质结价带偏移。

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