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数层二维黑磷的大规模生长( Large-scale growth of few-layer two-dimensional black phosphorus )
Zehan Wu Yongxin Lyu Yi Zhang Ran Ding Jianhua Hao
二维材料为发展原子厚度的半导体应用提供了机会，以打破硅技术的极限。黑磷(BP)作为一种带隙可控、载流子迁移率高的层状半导体，是原子厚度为1-4的晶体管器件最有希望的候选材料之一。但缺乏大规模增长，大大阻碍了其在器件方面的发展。在这里，我们报道了通过脉冲激光沉积在厘米尺度上生长超薄BP。由激光烧蚀诱导的独特的等离子体激活区域为BP团簇的形成和运输提供了非常理想的条件5,6,促进生长。此外，我们在BP薄膜上制备了大规模场效应晶体管阵列，在295 K和250 K下分别获得了高达213和617 cm2的空穴迁移率。我们的结果为进一步开发具有潜在应用前景的基于BP的晶圆规模器件铺平了道路。利用脉冲激光沉积技术，实现了以厘米为尺度生长高结晶质量和均匀性的低层黑磷。
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