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单层MoSi2N4的二维范德华电接触( Two-dimensional van der Waals electrical contact to monolayer MoSi2N4 )
L Cao G Zhou Q Wang LK Ang YS Ang
二维MoSi2N4单层薄膜是一种新型的空气稳定的二维半导体材料,具有优异的电学和力学性能。尽管近年来对MoSi2N4的材料特性进行了大量的研究,但迄今为止,与MoSi2N4电接触的物理特性仍未得到充分的研究。在本工作中,我们使用第一性原理密度泛函理论计算研究了由石墨烯和NbS2单层接触的MoSi2N4组成的范德华异质结构。我们发现MoSi2N4/NbS2接触呈现出超低的肖特基势垒高度(SBH),这有利于纳米电子学应用。对于MoSi2N4/石墨烯接触,可以通过层间距离或外电场来调制SBH,从而为可重构和可调谐的纳米电子器件开辟了机会。我们的发现为MoSi2N4的二维电接触物理提供了深入的见解,并将为基于MoSi2N4的二维纳米器件的高性能电接触设计提供关键的第一步。
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