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非对称SOI装置中浮体效应的控制方法( Method of controlling floating body effects in an asymmetrical SOI device )
JW Adkisson MJ Hargrove LR Logan IY Yang
在源极和/或漏极处包括可控二极管特性的高性能非对称晶体管是通过在沟槽中倾斜注入或从形成为掺杂材料侧壁的固体体扩散提供具有高定位精度的杂质来开发的。通过在提供杂质之后提供减少的热处理来实现支持高性能的杂质的高浓度梯度，以便限制先前为实现杂质结构的期望位置所需的扩散。还提供大马士革或准大马士革栅极结构，用于晶体管的高尺寸均匀性、增加的制造成品率和结构完整性。
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