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雪崩光电二极管，SPAD和SiPM( Avalanche Photodiode, SPAD, and SiPM )
S Donati avalanche multiplication avalanche photodiode photodiode junction Silicon Photomultiplier Single‐Photon Avalanche Detector SPAD array
在光电探测器中，碰撞电离倍增是一种非常受欢迎的机制。冲击电离雪崩倍增是用于放大光电二极管结内部光生电荷的增益机制。雪崩光电二极管(APD)是第一个利用碰撞电离增益的器件。随着APD的发展和技术的成熟，单孔霍顿雪崩探测器(SPAD)被发明出来，这是第一个能够探测单光子但具有盖革电极限制的半导体器件。由此，最近硅光电倍增管(SiPM)作为真空管技术PMT的一个真正坚实的对手出现了。SiPM是SPAD阵列的一个例子，因为它集成了大量的单个传感器，每个传感器都有自己的被动淬火电阻。
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