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p型氧化物半导体中载流子的产生:Sn 2 (Nb 2 x Ta x) o7( Carrier generation in a p -type oxide semiconductor: Sn 2 ( Nb 2 x Ta x ) O 7 )
N Kikuchi A Samizo S Ikeda Y Aiura K Nishio
通过在晶体生长过程中控制晶格缺陷的退火条件，研制了宽禁带p型半导体Sn2(Nb2xTax)O7(x=0-2)。Sn2Nb2O7(x=0)的禁带宽度为2.4eV,Sn2Ta2O7(x=2)的禁带宽度为3.0eV。载流子密度和空穴迁移率分别为0.20～1.4(×1018cm3)和0.28～1.9(×101cm2 V1S1)。根据缺陷含量与电学性质的相互关系,我们认为p型半导体Sn2(Nb2xTax)O7中的空穴载流子是由（Nb,Ta)2O6八面体链中的Sn4+-on-Nb5+/Ta5+取代缺陷产生的。
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