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高功率优值，10.6 kv单通道，阳极-阴极间距小于100-{mu}m的AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管( High power Figure-of-Merit, 10.6-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diode with single channel and sub-100-{mu}m anode-to-cathode spacing )
Xu, Ru Chen, Peng Zhou, Jing Li, Yimeng Li, Yuyin Zhu, Tinggang Cheng, Kai Chen, Dunjun Xie, Zili Ye, Jiandong Liu, Bin Xiu, Xiangqian Han, Ping Shi, Yi Zhang, Rong Zheng, Youdou
无摘要
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