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电化学电容器用电沉积二氧化锰的半导体性能:Mott-Schottky分析( Semiconductor Properties of Electrodeposited Manganese Dioxide for Electrochemical Capacitors: Mott-Schottky Analysis )
J Mccarthy AP Cameron SB Davey
本文研究了电沉积二氧化锰(r-MnO2)的半导体性质对中性电解质中伪电容电极行为的影响。使用循环伏安法(CV)、阶跃电位电化学光谱法(SPECS)和电化学阻抗光谱法(EIS)的组合来实现二氧化锰电极的电化学分析，特别是在单个实验中使用SPECS和EIS的组合，使得能够在整个电位窗口上确定电子性质。在用CV建立稳定的循环后，电极性能用SPECS进行检测。利用Mott-Schottky方程分析了在准平衡条件下记录的每个电位阶跃休止周期结束时的EIS数据，从而确定了二氧化锰电极的n型和p型行为。测定了平坦带电位（Vfb,n=0.34V vs SCE和Vfb,p=0.98V vs SCE）,得出了电化学活性表面积与几何表面积关系更为密切的结论。
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