用AlN/金刚石异质结构演示金刚石场效应晶体管

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作者：scidown 发布时间：2021-06-01 15:10:20 文章标题：

用AlN/金刚石异质结构演示金刚石场效应晶体管( Demonstration of diamond field effect transistors by AlN/diamond heterostructure )

文章作者：

M Imura R Hayakawa E Watanabe M Liao H Amano diamond HFET AlN MOVPE

文章简述：

本文首次报道了AlN/金刚石异质结场效应晶体管(HFET)。采用金属有机气相外延法在氧封端（111）金刚石衬底上生长AlN外延层，温度高达1240°C。晶体管和栅极电容-电压特性表明，该HFET表现为P沟道场效应管，具有正常导通耗尽模式。HFET沟道位于AlN/diamond界面，空穴在靠近界面的金刚石中积累。AlN/Diamond HFET的发展为基于金刚石的电力电子技术提供了新的可能。（2011 Weinheim WILEY-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA）

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