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缺陷与内部电场协同优化g-C3N4x/BiOCl/WO2.92异质结用于光催化NO深度氧化( Defects and internal electric fields synergistically optimized g-C3N4x/BiOCl/WO2.92 heterojunction for photocatalytic NO deep oxidation )
M Wang G Tan S Feng M Dang Y Liu
本工作以NaBiO3和WCl6为原料,在BiOCl表面原位生长WO2.92的非金属等离子体,制备了具有“N-O”空位的g-C3N4x/BiOCl/WO2.92异质结,从而提高了光催化无深度氧化性能。XPS测试和DFT计算表明,g-C3N4x到BiOCl,BiOCl到WO2.92形成了内电场,导致了Ⅱ-Ⅱ型结构向双Z型结构的转变。由于缺陷的电荷俘获效应和双Z构型机制，同时获得了高分离效率、延长寿命和强氧化还原能力的光生电子-空穴对。g-C3N4x/BioCl/WO2.92对NO的去除率从21.17%(BioCl/WO2.92)和36.52%(g-C3N4x)提高到68.70%，NO的主要氧化产物为NO3。本研究揭示了缺陷和内部电场的协同作用可以优化异质结光催化剂的载流子动力学，实现光催化无深度氧化。
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