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朝着本质纯的石墨烯生长在铜上( Towards intrinsically pure graphene grown on copper )
X Xu R Qiao Z Liang Z Zhang K Liu
最先进的半导体工业建立在成功生产极纯度高达99.9999999999%的硅锭，或所谓的“十一个九”之上。石墨烯在电子和光电子领域的高端应用也必然需要无缺陷的纯石墨烯。由于其二维(2D)特性，石墨烯限制了其表面的所有缺陷，有机会消除各种缺陷，即晶界的线缺陷和晶粒中的点或点缺陷，产生本质纯净的石墨烯。在过去的十年里，人们一直采用外延生长的方法，通过无缝拼接排列的晶粒来生长石墨烯，最终消除了晶界处的线缺陷。然而，对于石墨烯晶粒中同样常见的点和点缺陷，却少有高通量、高效率地检测或减少它们的方法。在这里，我们报告了一种通过消除石墨烯晶粒中的点缺陷和点缺陷来实现在铜上生长的超纯石墨烯的方法。通过设计隔热箱，排除了石英管高温生长过程中石英颗粒脱落引起的斑点缺陷，防止了颗粒在铜表面的沉积。点缺陷通过温和氧化辅助方法光学可视化，并通过刻蚀-再生长工艺进一步降低到小于1/1000 m2的超低水平。本论文的工作为石墨烯的制备开辟了一条途径，为石墨烯在集成电路上的大规模应用奠定了基础。
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