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三步生长法在MBE中沉积低表面粗糙度GaAs/Si薄膜( Low Surface Roughness GaAs/Si Thin-Film Deposition Using Three-Step Growth Method in MBE )
W Wang B Ma HC Gao HL Yu ZH Li Molecular Beam Epitaxy GaAs/Si Three-Step Growth Method
外延GaAs-on-Si是研究在硅这样的非极性衬底上生长的极性半导体层的非匹配异质外延物理的理想材料体系。了解和优化GaAs在硅上的初始成核是GaAs/Si异质外延成功的最关键的一步。采用分子束外延(MBE)技术，采用三步生长法在偏角Si(100)衬底上沉积了GaAs异质外延薄膜。在优化了低温(LT)缓冲层和高温(HT)外延层的生长参数后，进行了XRD分析。对未退火的GaAs(004)薄膜的表征结果表明,在10微米×10微米的扫描面积上,薄膜的半高宽(FWHM)为760.1弧秒,表面粗糙度均方根(RMS)小于1 nm。
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