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高探测性近红外光电探测器的范德华晶体管的电子辐照效应( Electron irradiation effect on van der Waals transistor for high-detectivity near-infrared photodetectors )
P Hou Y Zhang X Wang C Cai X Ouyang
本文研究了近红外光检测用In2Se3基晶体管的电子辐照效应。系统地研究了辐照后光电探测器的暗电流(Idark)、光电流(Iph)、响应率(R)、外量子效率(EQE)和比探测率(D*)。电子辐照引起的缺陷以及物理吸附和化学反应修饰的aIn2Se3/空气界面对时间退火过程有重要影响。与辐照前相比,当光功率强度为81.5微W/cm2时,1064 nm波长的R和d*分别提高了46.24%和53.08%。结果表明,In2Se3基光电探测器在航空航天和核工业中具有潜在的应用前景。
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