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位错作为电化学刻蚀制备亚表面多孔氮化镓的通道( Dislocations as channels for the fabrication of sub-surface porous GaN by electrochemical etching )
CP Massabuau PH Griffin HP Springbett Y Liu RA Oliver
氮化物半导体的多孔化为光电子材料性能的高级工程研究提供了一个新的范例。电化学刻蚀在掺杂层中产生孔隙率，同时保持未掺杂层不受损，允许实现复杂的三维多孔纳米结构，潜在地提供广泛的功能，如分布布拉格反射器。多孔/非多孔多层可以通过在一个简单的过程中均匀地蚀刻整个生长中的晶片而形成，而不需要任何额外的处理步骤。蚀刻从顶部向下穿透未掺杂层，使它们几乎未被触及。在这里，原子分辨电子显微镜显示蚀刻剂通过在位错核上形成的纳米级通道进入掺杂层，并分别将蚀刻剂和蚀刻产物运送到掺杂层和从掺杂层运送到掺杂层。对AlGaN多层膜和非极性GaN多层膜的研究结果表明，这一机制是相同的，表明这种方法可能适用于多种材料。
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