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沉积机理对在酸性镀液中生长的外延PbS膜性能的影响( The effect of deposition mechanism on the properties of epitaxial PbS films grown from acidic bath )
M Perez M Shandalov Y Golan T Templeman V Ezersky E Yahel
我们报道了在酸性溶液中在GaAs(111)衬底上外延PbS薄膜的沉积。为了保护GaAs衬底免受酸性环境的影响,首先在碱性溶液中沉积了一层薄的异质外延PbS缓冲层。缓冲层为单晶形态,在其上由酸性镀液同轴外延生长出较厚的PbS膜。研究了pH值对PbS薄膜质量的影响,发现在pH=3时,PbS薄膜的活性沉积机制发生了明显的转变。利用Urbach理论对透射红外测量进行了检验,表明了薄膜中有序/无序的程度。结果表明,在pH=3处有一个过渡点,表明在过渡点处生长的样品缺陷较少,薄膜质量较好。从酸性镀液中沉积的半导体薄膜被证明是非常有利的,而不会引入高水平的杂质。从碱性溶液中掺入PbS和Th可以使薄膜中的氧含量增加,而从酸性溶液中沉积PbS:Th薄膜则可以控制Th掺杂量而不增加氧含量。
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