优化Ni/ ag基反射器以提高273 nm深紫外光algan基发光二极管的性能( Optimization of Ni/Ag-Based Reflectors to Improve the Performance of 273 nm Deep Ultraviolet AlGaN-Based Light Emitting Diodes )

KB Sim SK Kim HS Lee SY Lee TY Seong H Amano

为了提高273 nm深紫外(DUV)AlGaN基倒装芯片发光二极管（FCLEDs）的效率,优化了Ni/Ag基p型反射器。Ni（3 nm)/Ag（5-15 nm)/Al/Ni和Ni（25-50 nm)/Ag/Ni接触在273 nm处的反射率（36.4-39.5%）高于参考的Ni（5 nm)/Au（5 nm)/Al/Ni接触（26.1%）。Ni（3 nm)/Ag（200 nm)/Ni（20 nm)和Ni（Ag（200 nm)/Ni（20 nm)基样品的正向电压分别为6.93-7.11V和5.5-6.28V,而Ni（Au）基样品的正向电压为6.35V。Ni（3 nm)/Ag（10 nm)/Al/Ni基和Ni（50 nm)/Ag（200 nm)/Ni基样品的正向电压分别为1.2W和13.4%。Ni(3 nm)/Ag(10 nm)基和Ni(50 nm)/Ag(200 nm)/Ni基样品的峰值外量子效率比参考样品高5.6%和8.5%。实验进一步表明,Ni(3 nm)/Ag(10 nm)/Al/Ni基和Ni(50 nm)/Ag(200 nm)/Ni基样品的效率下降率分别为27.9%和26.4%,低于参考样品（31.4%）。基于扫描透射电镜和X射线光电子能谱结果，描述并讨论了欧姆形成机制。

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