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记忆器件开关层材料的选择:从传统氧化物到二维材料( Selection of Switching Layer Materials for Memristive Devices: from Traditional Oxide to 2D Materials )
YD Wang ReRAM Conductive Filament Memristors Switching Layer
基于氧化还原的电阻开关器件(ReRAM)提供了新的硬件概念，为打破冯·诺依曼瓶颈，构建一个新的信息计算系统提供了可能。然而，开关层的材料种类繁多，机理各异，阻碍了对实际应用的进一步探索。本文综述了用氧化物、氮化物和二维材料制作的忆阻器。对不同材料的电学性能进行了比较，列出了各自的优点。对忆阻器材料的选择有一定的指导作用。
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