表面修饰Cr3+的(Zn, Nb) sno2薄膜压敏电阻的电泳沉积

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作者：scidown 发布时间：2021-05-31 10:14:43 文章标题：

表面修饰Cr3+的(Zn, Nb) sno2薄膜压敏电阻的电泳沉积( Electrophoretic deposition of (Zn, Nb)SnO2-films varistor superficially modified with Cr3+ DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2015.01.022 )

文章作者：

MA Zaghete

文章简述：

近年来，旨在改善SnO2基压敏电阻器性能的研究和开发有了重要的进展。同时，由于ZnO基压敏电阻比SnO2基压敏电阻具有更好的电学性能，因此需要添加添加剂来改善其性能。本研究采用化学法（Pechini法）,添加1mol%的ZnO和0.05mol%的Nb2O5,制备了SnO2粉体。通过电泳沉积SnO2基粉末，再用微波炉烧结得到薄膜。用EPD在薄膜表面沉积Cr3+,并在微波炉中进行热处理。经电学表征,薄膜的非线性系数大于10,击穿电压约为60V,漏电流约为10-6 A,电阻大于200 k？cm。这表明所使用的技术在Cr3+扩散后制备具有改善电性能的压敏电阻薄膜是有效的。

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