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一种成本为〆的提高金属氧化物薄膜晶体管性能的有效氟化方法( A cost〆ffective fluorination method for enhancing the performance of metal oxide thin‐film transistors )
S Deng S Dong R Chen W Zhong H Kwok fluorination metal oxide planarization thin‐film transistor
氟化是提高金属氧化物(MO)薄膜晶体管(TFT)性能的常用技术。然而，它通常需要在苛刻的条件下进行额外的处理步骤，并带来较高的热预算。本工作报告了一种在工业中使用氟化聚酰亚胺（F）的MO TFT的温和氟化方法。在热固化过程中，含氟碎片扩散到MO沟道中，显著改善了MO沟道的电性能。在底部和顶部装置中都观察到通道氟化，说明了该方法的有效性。用氟化钼薄膜晶体管制作了2.2N的单色AMOLED原型显示器。该方法提供了一种温和、低热预算的氟化技术，对于低成本生产有源Arix平板显示面板是有用的。氟化是提高金属氧化物(MO)薄膜晶体管(TFT)性能的常用技术。在本工作中，我们在底部和顶部的MO TFT的平坦化过程中都采用了氟化聚酰亚胺，并在温和的条件下实现了沟道氟化。这种方法对有源平板显示器的生产具有较高的成本效益是有用的。
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