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提高多孔硅基CO气体传感器的时间响应( Enhancing the Temporal Response of Modified Porous Silicon-Based CO Gas Sensor )
AM Alwan HR Abed RB Rashid
本文研究了金纳米粒子对多孔硅气敏元件时间响应的影响。采用810 nm波长和2 W红外激光二极管作为照明光子学光源,通过激光辅助刻蚀工艺制备了多孔层。实验条件为：电流密度为20 mA/cm，腐蚀时间为10 min。通过离子还原过程将金纳米粒子掺入多孔硅结构中。通过SEM、XRD等方法对传感器的性能进行了全面的研究，并对纳米金掺杂前后的电学性能进行了研究。结果表明，与裸多孔硅传感器相比，该传感器的衰减时间缩短了50%以上。讨论了金纳米粒子对多孔硅导热性能的影响。与裸多孔硅气敏元件相比，金纳米粒子获得了更高的热导率（130 W/mK）。
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