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近单晶氮化薄膜在非晶石墨烯-玻璃晶片上的范德华外延( Van der Waals epitaxy of nearly single-crystalline nitride films on amorphous graphene-glass wafer )
Fang Ren Bingyao Liu Zhaolong Chen Yue Yin Zhiqiang Liu
范德华外延为先进电子学和光电子学的各种材料的单片集成提供了一个肥沃的操场。在这里，一个以前未被发现的纳米棒辅助范德华外延被开发出来，并首次使用石墨烯界面层在非晶二氧化硅玻璃衬底上生长了几乎单晶的GaN薄膜。外延GaN基发光二极管结构具有创纪录的内部量子效率，可以很容易地剥离，成为大尺寸柔性器件。在没有单晶衬底势场影响的情况下，我们期望这种方法同样适用于任意衬底上的高质量氮化物生长。我们的工作为高质量半导体的生长提供了革命性的技术，从而使高度非匹配材料系统的异质集成成为可能。
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