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网站㏒选修课占用的奖金+朝着高发光开关对比BaMgSiO4〣以光致变色材料( Site㏒elective Occupancy of Eu2+ toward High Luminescence Switching Contrast in BaMgSiO4〣ased Photochromic Materials )
Y Zhu H Sun Q Jia L Guan X Hao flexible optoelectronics luminescence switching optical storage photochromic materials
发光无机光致变色材料由于其优异的热稳定性和耐化学性，在三维光存储器中有着巨大的应用潜力。然而，构建具有高发光开关对比度的无机光致变色材料对于光信息存储仍然具有挑战性。了解微环境变化与材料光物理性质之间的内在联系，合理控制其发光特性是解决这些问题的关键。本文提出了一种在BaMgSiO4:Eu2+光致变色材料上通过位点选择占用工程使发光开关对比度显著提高300%以上的有效策略。建立了发光单元与光致变色单元之间有效的能量传递过程，为设计高性能光存储系统提供了新的思路。所制备的柔性薄膜具有优良的防水性、柔韧性和可拉伸性，并伴有可逆的色彩切换和较大的色彩对比度。通过405 nm和532 nm的LED激发，光数据存储不仅可以在柔性薄膜上进行视觉编码和解码。柔性薄膜的写入、擦除和读取策略特别适用于光存储和可重写柔性器件中的复杂应用环境。发光无机光致变色材料在高密度光数据存储领域具有巨大的应用潜力。SITE提出了一种将发光开关对比度显著提高300%以上的有效策略：光致变色材料上的选择性占用工程。用于制造的柔性膜的写入、擦除和读取工艺特别适合于光存储和可重写柔性器件中的复杂应用环境。
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