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一些氧化锆衍生的高熵氧化物的离子电导率( On the ionic conductivity of some Zirconia-derived High-Entropy Oxides )
E Bonnet JC Grenier JM Bassat A Jacob S Bourdais
目前报道的高熵氧化物（HEOs）的离子电导率低于经典SOFC电解质。本文研究了以萤石型结构稳定的多阳离子氧化物，以考察高熵是否与提高这种HEOs的阴离子电导率有关。所使用的两种合成路线对材料性能没有显着影响。根据HEOs的构型熵(≥1.5kb/f.u)和离子半径差的计算，设计并制备了新的组分:i)(HF1/3Ce1/3Zr1/3)1-x(Gd1/2Y1/2)xO2-x/2系列，其中增加x比以促进高空位浓度；ii)(HfxCeyZr1-x-y)0.85Yb0.15O1.93系列，在600°C下离子电导率略有提高，但不超过4×10scm，讨论了离子电导率低的可能原因。
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