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利用光更好地编程铁电器件:改善开关比的光电MoS2‐Pb(Zr,Ti)O3存储器( Using Light for Better Programming of Ferroelectric Devices: Optoelectronic MoS2‐Pb(Zr,Ti)O3 Memories with Improved On–Off Ratios )
A Lipatov NS Vorobeva T Li A Gruverman A Sinitskii ferroelectric memory field‐effect transistors lead zirconium titanate molybdenum disulfide
铁电(FE)器件通常通过施加电场来切换。然而，最近在基于二维半导体和铁材料的异质结构中光-物质相互作用的发现为利用光作为器件编程的额外工具开辟了新的机会。最近，在由二维MoS2和FE氧化物钙钛矿（如BaTiO3和Pb(Zr，Ti)O3(PZT)）组成的异质结构中，证明了FE偏振的纯光开关。本文研究了这种光开关是否具有实用价值，是否可以用于改善用于非易失性存储器应用的MOS 2.ZT FE场效应晶体管的功能特性。结果表明，电场和可见光的联合使用使MOS 2.ZT存储器的非易失性通/关比比纯电工作时提高了几个数量级。存储器在黑暗中以零栅极电压(VG)读取，但它们的通和关电流（不同器件的通和关电流通常变化超过105%）通过编程在相同的VG=6 V（通状态）和不（关状态）光照明下实现，证明了其至关重要的重要性。光可以作为一个重要的工具，更好地编程的许多其他半导体器件。本文报道了电场和可见光的结合使用，使MOS2 B(Zr,Ti)O3存储器的非易失性ON,FF比纯电工作时提高了几个数量级。
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