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用硅气相沉积法在石墨上控制SiC涂层的渗滤分布( Controlled infiltration profile of SiC coating layer on graphite by Si vapor deposition reaction )
KJ Hwang YC Lee JT Hwang SY Bae H Lee
采用硅气相沉积反应（Si-VDR）工艺在不同温度（1300-1600 oC）下成功制备了SiC包覆石墨。采用Si粉作为SiC涂层的Si源。当Si粉在高温下蒸发至体Si熔点附近时，Si气体在石墨表面移动并转化为Si液体。高温处理有利于在石墨表面形成SiC涂层。研究了包覆石墨的微观结构、力学性能和热氧化性能。
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