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外延硅二极管中重离子、聚焦x射线和脉冲激光诱导电荷产生的单事件瞬态比较( Comparison of Single-Event Transients in an Epitaxial Silicon Diode Resulting From Heavy-Ion-, Focused X-Ray-, and Pulsed Laser-Induced Charge Generation )
Kaitlyn L. Ryder Landen D. Ryder Andrew L. Sternberg John A. Kozub Robert A. Reed
在硅外延二极管上进行了重离子、聚焦X射线和脉冲激光单粒子瞬态实验。计算并比较了不同电源之间的收集电荷、瞬态上升时间和瞬态下降时间。瞬态形状特征取决于源（离子、X射线或激光），即使在产生类似数量的电荷时也是如此。从基本电荷收集机制的角度对观察到的差异进行了检验和解释。
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