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不同位错密度增益发光二极管的温度依赖性光输出特性( Temperature‐dependent light‐output characteristics of GaInN light‐emitting diodes with different dislocation densities )
S Chhajed J Cho EF Schubert JK Kim DD Koleske MH Crawford dislocation density GaInN light‐emitting diodes
我们通过实验研究了不同线程位错密度(TDDs)的发光二极管(LED)光输出功率的温度依赖性，以评估TDD对LED温度稳定性的影响。当环境温度从20°C升高到150°C时，高TDD的LED光输出功率下降64%，而低TDD的LED光输出功率仅下降54%。发光二极管光输出功率的温度依赖性和特性温度Tch的电流依赖性表明，短的辐射复合寿命和低的TDDs是获得耐高温发光二极管特性的必要条件。
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