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纳米结构使砷化镓光导半导体开关具有较低的通态电阻和较长的锁定时间( Nanostructure enabled lower On-state resistance and longer Lock-on time GaAs photoconductive semiconductor switches )
S Yin R Liu A Shang CJ Chen GL Yun
我们报告了一种新的,据我们所知,类型的硅砷化镓光电导半导体开关(PCSS)的纳米结构。由于光可以从纳米结构的顶面和侧面同时进入,有效穿透深度显著增加。该设计在非线性模式下获得了较低的导通电阻和较长的锁定时间,在线性模式下获得了较低的触发通量。这对于需要较低导通状态电阻和/或较长锁定时间的各种应用,例如脉冲电力系统和点火装置开关,可能非常有用。
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