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超宽带隙半导体AlN晶体的生长与应用( Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystal: growth and applications )
R Yu G Liu G Wang C Chen L Zhang
近年来，以氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带半导体材料以其优良的高频功率特性、稳定的高温性能、低的能量损耗和良好的紫外(UV)透过率而受到世界各国的广泛关注。在高效光电子器件、大功率高频电子器件、超高压电力电子器件、深度紫外告警与引导、深度紫外LED消毒等领域具有巨大的应用前景。物理气相传输法(PVT)具有生长工艺简单、生长速度快、晶体完整性高等优点，已逐渐成为生长块状AlN晶体最有效的方法之一。本文系统地综述了近年来PVT法生长AlN晶体的最新研究进展，并介绍了其在深紫外发光二极管、紫外激光器和肖特基势垒二极管(SBD)中的应用。最后讨论了AlN晶体面临的挑战和应用前景。AlN晶体作为一种重要的新型直接禁带超宽禁带半导体材料，显示出极其重要的战略应用价值。深度UV-LED器件输出功率满足实用要求，大功率电子功率器件尚处于验证阶段。从物质优势来看，具有相当大的发展潜力。
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