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用于RRAM和神经形态器件的ZnO薄膜的纳米尺度分析和忆阻效应( Nanoscale profiling and memristor effect of ZnO thin films for RRAM and neuromorphic devices application )
VS Klimin RV Tominov V Avilov D Dukhan A Rezvan
研究了ZnO薄膜中的忆阻器效应。结果表明,在薄膜形成过程中,激光脉冲数从1000增加到3000使ZnO薄膜的高阻态电阻(HRS)从28.31±8.27kΩ增加到1943.53±123.11kΩ,低阻态电阻(LRS)从3.85±2.15kΩ降低到3.22±1.32kΩ。研究了忆阻器结构的制备工艺。制备并研究了Al2O3/TiN/ZnO/Ti忆阻器结构。在0.4±0.1V时,从HRS到LRS发生阻性切换;在-0.72±0.2V时,从LRS到HRS发生阻性切换。耐久试验表明HRS为72.41±6.22kΩ,LRS为1.05±0.32kΩ。结果表明,Al2O3/TiN/ZnO/Ti忆阻器在读出电压为0.3V时的HRS/LRS比约为69.7。与Al2O3/TiN/ZnO结构相比,Al2O3/TiN/ZnO结构可使开关电压从3.2±0.6V降低到0.4±0.1V,复位电压从-3.5±1.1V降低到-0.72±0.2V,电流从0.9±0.4mA降低到5.2±2.2μa,电阻色散更小。
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