自旋电子学与新型存储器件:磁电BiFeO 3研究进展综述

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作者：scidown 发布时间：2021-07-26 11:30:24 文章标题：

自旋电子学与新型存储器件:磁电BiFeO 3研究进展综述( Spintronics and Innovative Memory Devices: a Review on Advances in Magnetoelectric BiFeO 3 )

文章作者：

SM Yakout

文章简述：

磁电BiFeO3的进展为创新存储器件的商业化提供了机会。利用自旋技术制备了磁随机存储器(MRAM)。基于铁电性的铁电随机存储器(FeRAM)也得以实现。这两种记忆都有很好的特性，但不幸的是都有一些缺陷。一种新的设想是将两种存储器结合起来，创造无限的存储器装置。MRAM和FeRAM的结合意味着单个材料中铁磁-铁电性质的耦合。磁电材料BiFeO_3的研究有望成为未来存储器件的发展方向，近几年发表了数千篇论文。本文综述了国内外对多铁性BiFeO_3的研究进展，包括提高BiFeO_3性能和消除障碍的方法。在这里，我们从自旋电子学存储器件和多铁材料的概述开始。根据BiFeO_3中的占位和掺杂剂的类型，对研究进行了分类。

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