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N型和p型半导体上金属-铁电-绝缘体-半导体隧道结的传导机制( Conduction Mechanisms of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Tunnel Junction on N- and P-Type Semiconductor )
P Chang G Du J Kang X Liu
用新的模型阐明了金属-铁电-绝缘体-半导体(MFIS)在n型和p型半导体上的铁电隧道结(FTJ)的导电机理，并用实验结果进行了验证。该模型考虑了导带和价带的电子隧穿，以及价带的空穴隧穿，计算了MFIS-FTJ在通/关状态下的读电流。该模型解释了p型MFIS-FTJ中开/关态的非预期极化极性以及n型和p型MFIS-FTJ中隧穿电阻(TER)比值的差异，而这种差异不能仅用半导体中大多数载流子的耗尽/积累来理解。
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