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硅电子性质评价的密度泛函理论计算( Density Functional Theoretical Calculations for Evaluation of Electronic Properties of Silicon )
SCRR Roshan
本文利用局域密度近似(LDA)和基于量子ESPRESSO的交换相关泛函的PBE广义梯度近似进行密度泛函理论计算，研究了硅的结构和电子性质。通过对晶体的总能量最小化得到了结构的晶格参数。硅的平衡晶格常数与实验结果吻合较好。所得能带结构计算表明硅半导体是一种间接带隙半导体。对硅的态密度和电荷密度进行了研究，以了解成键的性质。
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