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涡旋促进剂对带有冲击射流的矩形通道中受热电子元件传热影响的实验和数值研究( Experimental and numerical investigation of vortex promoter effects on heat transfer from heated electronic components in a rectangular channel with an impinging jet )
Mustafa Kilic Başkaya Ş. Çalışır T
随着电力负荷的不断增加，电子元器件的热控制是一个不断出现的问题。本文采用单射流实验和数值模拟方法，研究了旋涡促进剂对18种热流场恒定的fl载灰电子元件在一开三堵矩形通道内的冷却效果。铜块被用作电子元件。利用激光多普勒风速仪(LDA)测量了通道进口处的流速。利用热电偶进行温度测量。为了改善电子元件的换热性能，在雷诺数Re=8000，热fluxq″=1000W/m㎡，射流板间距与喷嘴水力直径之比h/dh=6的条件下，研究了涡流促进器参数（长度、位置、个数和角位置）对电子元件换热的影响。在0.55～5.0范围内，旋涡促进器与射流入口之间的距离与射流入口水力直径之比（N/DH）；在0.5-0.9范围内，旋涡促进器长度与通道高度之比（K/H）；在0.5-1.5范围内，旋涡促进器与通道高度之比（W/H）；在-5O～+45O范围内，旋涡促进器与射流入口之间的距离与射流入口水力直径之比（N/DH）。数值研究采用低雷诺数K湍流模型。当N/DH=0.7-5.0时，旋涡促进器靠近射流入口时，换热速率提高。研究发现，热传递对旋涡促进器的位置、长度和角度位置敏感。
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