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用Ba-BN溶剂高压合成高纯氮化硼单晶( Synthesis of high-purity boron nitride single crystals under high pressure by using Ba–BN solvent )
T Taniguchi K Watanabe A1. Impurities A2. Growth from High-temperature solutions A2. High-pressure crystal growth B1. Boron nitride B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials B2. Ultraviolet light luminescence
以氮化硼钡为溶剂,在4.5GPa和1500°C下合成了高纯立方氮化硼(cBN)和六方氮化硼(hBN)单晶。用二次离子质谱分析晶体中的杂质。制备了氧和碳浓度均小于1018原子/cm3的cBN和hBN晶体,并用阴极发光法测量了它们的带边光学性质。高纯hBN单晶表现出强烈的紫外光发射,表明其作为深紫外光发射器的前景。
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