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单位错肖特基二极管( Single-Dislocation Schottky Diodes )
Ang Tao Tingting Yao Yixiao Jiang Lixin Yang Xiuliang Ma
位错通常表现出不同于块体材料的独特物理性质。然而，由于构造高性能位错器件的困难，位错的功能应用面临着挑战。本文在掺Nb的SrTiO3衬底上研究了Fe2O3薄膜中的单向单位错肖特基二极管阵列。用导电原子力显微镜测量的电导率表明，在正向偏压下，净电流会流过单个位错肖特基二极管，而在反向偏压下，净电流会消失。在循环偏压下，位错肖特基二极管表现出明显的电阻开关特性，包括低阻和高阻两种状态，高阻比约为103。结合透射电镜和第一性原理计算，发现Fe2O3位错由Fe2+和Fe3+离子混合而成，具有一维电导率。单位错肖特基二极管在研制超高密度电子和存储器件方面具有广阔的应用前景。
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