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少层ZrTe 5的二维量子霍尔效应与零能态( Two-Dimensional Quantum Hall Effect and Zero Energy State in Few-Layer ZrTe 5 )
Fangdong Tang Peipei Wang Mingquan He Masahiko Isobe Jurgen H. Smet
拓扑物质在当今凝聚态物质研究中起着核心作用。五碲化锆(ZrTe5)作为弱、强拓扑绝缘体(TI)边界上的狄拉克半金属引起了人们的关注。少层ZrTe5由于禁带内的拓扑态而表现出量子自旋霍尔效应，但由于环境条件和工艺过程造成的样品退化阻碍了高质量器件的制备。量子霍尔效应(QHE)作为检验二维系统是否具有高质量的试金石，迄今尚未被观察到。只报告了一个关于批量的3D变体。在这里，我们成功地保持了薄膜的本征性质，将载流子迁移率提升到3500厘米V-1 s-1,足以观察到整数QHE和体带隙相关的零能态。磁输运结果为该间隙内的无隙拓扑态提供了证据。
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