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具有抗thcr2si2结构的Er2O2Bi的超导性和反铁磁顺序共存( Coexistence of superconductivity and antiferromagentic order in Er2O2Bi with anti-ThCr2Si2 structure )
L Qiao NH Wu T Li S Wu ZA Xu
通过电阻率、磁化强度、比热测量和第一性原理计算,研究了具有反ThCr2Si2型结构的化合物Er2O2Bi中超导和反铁磁有序共存的现象。在最佳标称成分的样品中观察到1.23K的超导转变温度Tc和3K的反铁磁转变温度TN。Er2O2Bi中的超导上临界场Hc2(0)和电子-声子耦合常数λePh与先前报道的同结构非磁超导体Y2O2Bi中的相似,表明Er2O2Bi中的超导可能与Y2O2Bi中的超导具有相同的起源。Er2O2Bi的第一性原理计算表明,无论是顺磁态还是反铁磁态,费米面主要由Bi6p轨道组成,表明4f电子对费米面的影响很小。此外,随着氧掺入量的增加,Tc从1增加到1.23K,TN从3 K略微下降到2.96K,表明超导有序和反铁磁有序可能是相互竞争的。霍尔效应的测量表明,空穴型载流子密度确实随着氧含量的增加而增加,这可能是Tc和TN随氧含量变化的原因。
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