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黑磷量子点的制备及其对单层MoS2光电探测器表面装饰的影响( Preparation of black phosphorus quantum dots and the surface decoration effect on the monolayer MoS2 photodetectors - ScienceDirect )
XN A YA Ying JY A ML A SAB Jian YWA B
本文制备了黑磷量子点，并将其旋涂在单层MoS2表面，制备了BP Qd/MoS2杂化光电探测器。BP QDs修饰后，单层MoS2的电导率显著提高。在V=4V时，暗电流增加了两个数量级。在功率密度为8×10μWcm时，BP QD/MoS2杂化结构的最大光探测响应度为2.87×10a/W。BP Qd/MoS2结构的光电响应特性为光电晶体管和光电探测器的应用铺平了道路。
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