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电子束蒸发Ge, ybf3, ZnS和laf3薄膜用于激光定向涂层的表征( Characterization of e-beam evaporated Ge, YbF 3 , ZnS, and LaF 3 thin films for laser-oriented coatings )
T Amotchkina M Trubetskov D Hahner V Pervak
用电子束蒸发技术在ZnSe和Ge衬底上制备了Ge,ZnS,${{m YbF}3}$YbF3和${{m LaF}3}$LaF3薄膜，薄膜范围在0.4～12m之间。发现Sellmeier模型最适合于ZnSe衬底、ZnS和${{m LaF}3}$LaF3薄膜的折射率；Cauchy模型提供了${{m YbF}_3}$YbF3薄膜的最佳拟合。在非参数模型的框架下，给出了Ge衬底和Ge薄膜的光学常数以及ZnS，${{m YbF}3}$YbF3,${{m LaF}3}$LaF3和ZnSe衬底的消光系数。对于ZnS的消光系数，指数模型是适用的。在Ge、ZnS、${{m YbF}_3}$YbF_3和${{m LaF}_3}$LaF_3中的应力分别为$(-{50}）\、\、{m MPa}$(50)MPa,$(-{400}）\、\、{m MPa}$(400)MPa,140 MPa和380 MPa。所有薄膜和衬底的表面粗糙度不超过5纳米。
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