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双载流子有机电致发光器件(oled)开关电压测定中陷阱密度对陷阱和脱陷阱过程的影响( The Effect of Trap Density on the Trapping and De-trapping Processes in Determining the Turn-On Voltage of Double-Carrier Organic Light-Emitting Devices (OLEDs) )
M. S. Zaini M. A. Mohd Sarjidan W. H. Abd. Majid
制备了以三（8-羟基喹啉）铝(III)(Alq3)为发射层的双载流子有机电致发光器件（OLED A）。器件在14V电压下发光时得到的陷阱密度值为2.40×10 15cm3。估计了双载流子器件局域态上载流子的俘获过程（俘获）R n和去俘获速率(Rn}^{prime)。图中观察到两个重要区域:Rn>(Rn}^{prime})和Rn<(Rn}^{prime})，并且Rn与(Rn}^{prime})的交点表示器件发光的电压，称为器件的导通电压。通过将器件陷阱密度直接增加到OLED a的不同比例进行了模拟。模拟结果表明,陷阱密度对Rn和(Rn}^{Prime})参数有很大的影响。为了验证模拟结果,另一种双载流子器件（OLED B）具有poly（N）的空穴传输层(HTL),通过在OLED A的现有结构上添加HTL层,制备了厚度为40nm的N′-双-4丁基苯基-N,N′-双苯基）联苯胺（poly-TPD）,并对两种类型的OLED A和B进行了光电特性分析。在本工作中,由于陷阱密度对器件的参数R N和(R_n}^{Prime})的影响,OLED B在较低的开启电压下具有较高的陷阱密度发光。
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