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钼掺杂VS4层间膨胀和工程硫空穴作为先进的镁储存阴极( Mo-doped VS4 with interlayer-expanded and engineering sulfur vacancies as cathode for advanced magnesium storage )
S Ding Z Li X Dai C Sun A Meng
镁离子电池(MIBs)具有还原电位低、理论容量高、经济、枝晶形成程度低等优点，被认为是下一个有潜力的候选电池。然而，通过修饰阴极材料来提高其电化学性能仍然是一个巨大的挑战。本文采用一步水热法合成了不同Mo含量的Mo掺杂VS4。表征结果表明，Mo掺杂不仅调节了薄膜的形貌，提高了薄膜的电导率，而且扩大了层间距，产生了丰富的硫空位。基于以上多种因素的协同作用，Mo掺杂缩短了快速反应动力学的扩散路径，保持了结构的稳定性，为可逆容量的增加提供了更多的活性位点，从而获得了优异的电化学性能。对于不同Mo含量的Mo掺杂VS4,3%Mo-VS4具有良好的循环稳定性，在50mA g时，比容量约为120mAh g,循环350次以上，在500mA g的高电流密度下具有优异的倍率性能。另外，Pesudocaticance类贡献分析和恒电流间歇滴定(GITT)技术进一步证实了丰富的硫空位和空心花状微球有利于Mg的快速扩散和反应动力学的增强。我们的金属离子掺杂设计策略为开发各种碱金属离子电池提供了有利的参考。
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