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基于第一原理计算的MoSe2和SnS2二维夹层三层van der Waals异质结构研究( First Principle Calculation Based Investigation on the Two-Dimensional Sandwiched Tri-Layer van der Waals Heterostructures of MoSe2 and SnS2 )
D Som A Paul Tanu A Mukhopadhyay S Kanungo
本文首次用第一性原理计算了SnS2和MoSe2的三层夹层范德华异质结。在这种异质结构中，SnS2(MoSe2)的单层被夹在两个MoSe2(SnS2)层之间。随后，以两种不同的堆叠顺序来考虑这种异质结构，即分别对应于体MoSe2和SnS2的自然堆叠的ABA和AAA。并与均匀的SnS2和MoSe2三层异质结构作了比较，对其结构和电子性质进行了广泛的分析。在此背景下，重点研究了金属和硫族原子在异质结构夹层上的键长和键角。最后，从导带和价带上电子态的轨道投影出发，详细分析了均匀和非均匀夹层对能带结构的影响。
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