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栅极电压和应力功率在a-InGaZnO薄膜晶体管自热退化中的作用( Roles of Gate Voltage and Stress Power in Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors )
M Du J Zhao D Zhang H Wang M Wang
阐明了栅电压(VG)和应力功率在非晶InGaZnO薄膜晶体管自热退化(SH)中的作用。通常观察到的正阈值电压（Vth）偏移归因于电子俘获机制，有效VG和应力功率都增强了电子俘获机制。有效的VG在大多数情况下起主导作用，而应力功率只有在足够高的情况下才起控制作用。在正Vth位移之后，还观察到第二阶段的负Vth背移，这归因于与水有关的正电荷产生机制。应力功率和有效VG均能提高这一效应，其中应力功率是最主要的影响因素。
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