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外延铁电HfO2薄膜:生长，性能和器件( Epitaxial Ferroelectric HfO2 Films: Growth, Properties, and Devices )
I Fina F Sanchez epitaxial oxides on silicon ferroelectric reliability ferroelectric memories epitaxial oxides Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric HfO2 ferroelectric thin films
铁电性首次被报道在掺杂HfO2多晶薄膜中大约十年后，人们对这种材料产生了极大的兴趣，铁电氧化物再次成为存储器工业的焦点。人们正在努力理解和控制铁电性质。外延薄膜比多晶薄膜具有更少的缺陷和更可控的微结构，在这方面非常有用。铁电HfO2外延薄膜的研究较少，但在2015年首次报道后，取得了重大进展。本文从外延HfO2的生长、结构和铁电性质的研究、铁电相的鉴定以及器件的制备等方面综述和讨论了外延HfO2的主要进展。我们希望这一综述能对研究外延HfO2的研究者有所帮助。它还有助于将目前主要集中在多晶样品上的铁电HfO2社区的兴趣扩展到外延薄膜。
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