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用于有源像素传感器方案的薄〧薄膜器件，可实现高密度和大型〢rea传感器( Thin〧ilm Devices for Active Pixel Sensor Schemes Enabling High Density and Large〢rea Sensors )
Carlos Avila〢vendano Israel Mejia Martin G. Reyes〣anda Jair Garcia Lamont Manuel A. Quevedo㎜opez
提出了一种新的、可扩展的方法，能够集成用于高密度和大容量REA传感器的不同薄膜器件。通过在有源像素传感器(APS)方案中集成CdS/CdTe薄膜二极管和Poly™i薄膜晶体管，验证了该方法的有效性。这些器件已分别用于低OST和大REA应用中，如液体晶体显示器(Poly2 FTS）和太阳能电池（CdS/CdTe）。这些方法允许无缝集成，从而消除了离散像素到IXEL凸点互连的使用。APSs由共源共栅TFT放大器和CdS/CdTe二极管组成，采用几种波长和强度的脉冲光源进行了评估。结果表明，集成传感器的响应度提高>100×，信号幅值良好，符合能量和强度监测的要求。该方法能够在广泛的应用中使用两种不同的和显著的设备，如X射线成像仪、γ射线探测器和热中子探测器，同时提供大的REA和低的OST兼容性。更重要的是，集成过程不会影响二极管和TFT的完整性和可靠性。本文提出了一种将CdS/CdTe薄膜二极管与Poly1i薄膜晶体管（TFTs）放大器集成的简单方法。采用高掺杂Poly-I层作为二极管与TFT之间的机电界面，制备了薄膜有源像素传感器，并对其进行了表征。光学特性表明，集成传感器的响应度比分立传感器高100×。
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