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络合剂对化学沉积ZnS薄膜的影响( Effect of complexing agent on the chemically deposited ZnS thin film )
Priyanka U. Londhe Ashwini B. Rohom Ganesh R. Bhand Sujata Jadhav Manorama G. Lakhe Nandu B. Chaure
采用化学浴沉积方法，在掺氟氧化锡和微细玻璃衬底上制备了硫化锌薄膜。研究了络合剂水合肼(HyH)浓度对镀层的影响。X射线分析证实了纳米晶ZnS薄膜的生长，(111)、(220)和（311）的反射率对应于立方晶相。TEM结果支持立方ZnS层的生长。能带隙从2.77到3.80eV被成功地定制。光致发光研究表明，有较强的带边发射和一些缺陷类空位。同时也注意到HyH在成核过程中起着重要的作用。随着HYH含量的增加，ZnS薄膜的生长速率显著提高。用2.5M HYH制备的ZnS薄膜退火后，得到了接近化学计量比的ZnS薄膜。退火后结晶度提高。用0和1.0M HyH制备的ZnS薄膜的理想因子分别为1.71和1.24。电容-电压曲线符合肖特基-莫特理论。计算了0和1.0M HyH沉积层的掺杂浓度分别为1017和1018cm3。
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