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基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器
吴全潭 刘明 时拓 赵晓龙 张续猛 伍法才 曹荣荣 龙世兵 吕杭炳 刘琦 六角氮化硼 电阻转变 忆阻器 神经形态
报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
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