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基于新型二维材料的忆阻器的研究现状与展望( Current Status and Prospects of Memristor Based on Novel 2D Materials )
Q Zhao Z Xie Y Peng K Wang X Yan
忆阻器作为一种很有前途的非易失性存储器件，由于其能有效地模拟突触，并能制造神经形态系统而受到广泛的关注。近年来，二维材料以其独特的优点在忆阻器中得到了广泛的应用，不仅提高了忆阻器的性能，而且促进了忆阻器在柔性电子、低功耗高温器件、神经形态计算等方面的应用。本文综述了二维材料在忆阻器制造中的应用及其物理开关机理。讨论了所面临的挑战，并对相应的策略进行了评述。
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